[에너지데일리 최일관 기자] 30나노 이하급 D램 및 30나노 이하급 낸드플래시, 30나노 이하급 파운드리 등에 해당하는 설계·공정·소자기술 및 3차원적층형성 기술과 조립·검사기술 등이 국가 핵심기술 포함 판정을 받았다.
산업통상자원부(장관 백운규)는 ‘산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률’(이하 ‘산업기술보호법’)에 따라 지난 16~17 양일간 산업기술보호 반도체전문위원회를 열어 삼성전자가 신청한 반도체 공장의 작업환경측정결과보고서에 대해 검토한 결과 이같은 내용을 포함한 일부에 국가핵심기술을 포함한 것으로 최종 판정했다.
신청인은 산업기술보호법 제9조제6항에 따라 산업기술 정보에 해당하는 작업환경측정결과보고서 국가핵심기술 포함여부를 판정 요청했다.
전문위원회는 위원회 전체의견으로 신청인의 반도체 공장 작업환경측정결과보고서의 일부 내용이 국가핵심기술에 해당한다고 검토․결정했다.
이번 국가핵심기술 판정 대상인 작업환경측정결과보고서는 산업안전보건법 제42조에 따라 작업장의 작업환경을 측정한 자료로서, 신청인의 2009~2017년 화성, 기흥, 평택, 온양 사업장의 작업환경측정결과보고서에 국가핵심기술로 지정된 ‘30nm 이하급 DRAM, NAND Flash, AP의 공정 및 조립기술’이 포함된 것으로 판정했다.
특히, 작업환경측정결과보고서에 포함된 단위작업장소별 화학물질(상품명), 측정순서, Layout, 월 취급량 등의 정보로부터 공정 및 조립기술의 유추가 가능하다고 판단했다.
이에 따라 30나노 이하급 D램에 해당되는 설계·공정·소자기술 및 3차원적층형성 기술은 공정기술, 30나노 이하급 D램에 해당되는조립·검사기술은 조립기술에 해당된다.
또 30나노 이하급 낸드플래시에 해당되는 설계·공정·소자기술 및3차원 적층형성 기술은 공정기술, 30나노 이하급 낸드플래시에 해당되는 조립·검사기술은 조립기술에 해당된다.
이외 30나노 이하급 파운드리에 해당되는 공정·소자기술 및 3차원 적층형성 기술과 모바일 Application Processor SoC 설계·공정 기술은 각각 공정기술에 해당된다.
반도체전문위, 30나노 이하급 D램・낸드플래시・파운드리 국가핵심기술 포함
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